造半导体器件的方法，包括形成一个铑-在制造过程中在衬底上的含层，例如半导体衬底或衬底组件的半导体结构。这铑含层可以是纯的铑层，一个铑氧化层，一个铑硫化层，a铑硒化物层铑氮化层，一个铑合金层等。通常且优选地，铑含层是导电的。所得层可用作集成电路结构中的阻挡层或电极，特别是在诸如DRAM器件的存储器件中。
含金属层可以包括纯铑, 或铑含合金铑以及一种或多种其他金属（包括过渡金属、主族金属、镧系元素）或来自元素周期表中其他族的准金属，例如Si、Ge、Sn、Pb、Bi等。此外，对于某些优选实施例，金属含层可以是氧化物、氮化物、硫化物、硒化物、碲化物或它们的组合。
因此，在上下文中的在本发明中，术语“含金属层”包括例如相对纯的层的 铑, 合金的 铑与其他第 VIII 族过渡金属如铱、镍、钯、铂、铁、钌和锇、第 VIII 族以外的金属、准金属（例如，Si）或它们的混合物。该术语还包括配合物的 铑或者铑与其他元素（例如 O、N 和 S）的合金。术语“单一过渡金属层”或“单一金属层”是指相对纯的层的 铑. 术语“过渡金属合金层”或“金属合金层”是指层的 铑例如，与其他金属或准金属形成合金。
一种优选的方法的本发明涉及在制造期间在诸如半导体衬底或衬底组件的衬底上形成层的一种半导体结构。该方法包括：提供衬底（优选地，半导体衬底或衬底组件）；提供包含一种或多种复合物的前体组合物的式：L y RhY z，(式I)
其中：每个L基团独立地为中性或阴离子配体；每个 Y 基团独立地是选自下组的 pi 键合配体的CO、NO、CN、CS、N 2、PX 3、PR 3、P(OR) 3、AsX 3、AsR 3、As(OR) 3、SbX 3、SbR 3、Sb(OR) 3、NH x R 3-x、CNR和RCN，其中R为有机基团，X为卤化物；y=1 到 4；z=0 到 4（最好是 1 到 4）；x=0 至 3；提供非氢反应气体；以及在存在的情况下由前体组合物形成含金属层的表面上的非氢反应气体的衬底（优选地，半导体衬底或衬底组件）。例如，含金属层可以是单一的过渡金属层或过渡金属合金层。使用这些方法，配合物的式I以某种方式转化(例如，热分解)并沉积在表面上以形成含金属层。因此，该层不仅仅是一个层的复杂的的公式 I。
配合物的式 I 是中性配合物，在室温下可能是液体或固体。然而，通常它们是液体。如果它们是固体，它们优选在有机溶剂中充分溶解或具有低于其分解温度的熔点，从而它们可以用于各种蒸发技术，例如闪蒸、起泡、微滴形成等。然而，它们也可以具有足够的挥发性以使它们可以使用已知的化学气相沉积技术从固态蒸发或升华。因此，前体组合物的本发明可以是固体或液体形式。如本文所用，“液体”是指溶液或纯液体（室温下的液体或在升高的温度下熔化的室温下的固体）。如本文所用，“溶液”不需要完全溶解的固体；相反，溶液可能含有一些未溶解的物质，但最好有足够的量的能被有机溶剂带入气相进行化学气相沉积处理的材料。
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