在电子产品中，IC晶圆硅晶片（也称为基板）是高纯度晶体硅 (c-Si) 的薄片，用于生产集成电路——一种由多个电子元件组成的复合材料。硅晶片在半导体行业中发挥着重要作用，因为它们发现它们在电子和微机械设备中的应用。
半导体电镀与电解槽的比较
对于当今先进的半导体电化学沉积 (ECD) 工艺，IC晶圆厂需要能够在IC晶圆上生产成型良好的特征，这些特征不仅没有空隙，而且尺寸完美。他们必须能够在可接受的总系统成本和运营成本范围内可靠、重复地完成此任务。
最先进的半导体制造电镀工艺都基于与标准电解池相同的原理，采用相同的电源、电解质、阴极和阳极基本元件。
控制电镀过程
在电镀系统中，阳极和晶片通过硬件和布线电气连接到控制能力先进的电源。从根本上说，高质量薄膜的沉积是在缺电子条件下进行的，这对于准确控制反应速率和沉积速率至关重要。在最先进的电镀工具中，电源能够提供极其精确的电流控制，这对于提供当今半导体器件所需的高水平电镀均匀性至关重要。
镀在晶片上的金属体积与提供给系统的电子摩尔数成正比。通过精确控制施加的总电流，电镀系统能够在晶圆上沉积非常精确的金属量。晶圆表面镀金流体速度的微小差异会导致整个晶圆的电镀速率不同 - 以及均匀性差。
电气特征的形成是半导体电镀的主要目的。特别是在图案化掩模内电镀特征的情况下，电流密度驱动形成特征的电镀材料的垂直生长速率。在给定系统中施加的电流密度很容易转换为每时间的厚度速率，通常以微米/分钟为单位。
总之，电子供应驱动晶片的反应速率，从而驱动金属沉积的速率。总充电量（安培小时）控制着特定电镀区域的沉积金属高度。
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