用于回收其上具有低k介电材料的半导体晶片的组合物和方法，从衬底或制品中去除低介电材料和其它材料层，以再生/再加工和/或再利用具有沉积在其上的低介电材料和其它材料的废弃衬底或制品。它涉及用于制造的组合物和方法以及使用它们制造的产品。随着与高密度、超大规模集成 (ULSI) 半导体布线相关的性能要求逐渐提高，随着器件尺寸的缩小，低介电常数 (low-k) 绝缘层被用于提高信号传输速率。使用需求逐渐增加。
典型的低介电材料包括碳掺杂氧化物(CDO)，使用诸如SiLK TM 、AURORA TM 、CORAL TM 或BLACK DIAMOND TM 的市售前体沉积，例如使用商标BLACK DIAMOND TM 工艺。这种CDO通常由有机硅烷和有机硅氧烷前体使用化学气相沉积(CVD)形成。 CVD碳掺杂氧化物低k材料通常由总介电常数小于约3.2的多孔低密度材料组成，通常通过形成多层CDO与其他半导体结构如金属布线和其中形成的偏置来形成.它用于各种半导体结构。例如，CDO 可用作某些结构的电介质绝缘层（金属间电介质 (IMD) 层）、覆盖层和/或间隙填充材料。
如果在多层器件制造过程或鉴定过程中层被不可接受地处理，则微电子器件晶片，例如硅半导体晶片，经常必须被刮除，优选再生。可能会出现许多加工问题，例如，不均匀的 CDO 层沉积或伴随的蚀刻缺陷。在某个处理步骤之后，进行了几次质量控制分析，其中半导体晶片由于各种原因被“刮掉”而被拒绝，从而导致巨大的非生产成本损失。
在现有技术中，向晶圆供应商提供有缺陷或被报废的工艺晶圆以进行处理是一种实践，其中使用化学和机械方法从半导体晶圆上去除介电层，例如CDO层，以重新使用该工艺。
半导体晶片。在成功去除赋予晶片的介电层和其他成型体后，晶片通过新的多层半导体器件制造工艺再生或再利用。随着半导体晶片制造工艺转向更大直径的晶片（例如，12英寸晶片），由于非生产性高成本，异地刮削和回收工艺晶片变得越来越有吸引力。使用与常规制造工艺兼容的改进组合物，工艺可用于从不确定的微电子器件（例如，半导体晶片）去除内部低介电层，包括CDO层。需要开发。使用该组合物从确定性差的微电子器件中去除低介电层的过程优选不需要高能耗的氧化步骤。
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