还原氧化物的方法废料含铟，并回收一个金属铟或铟合金。方法包括：插入氧化物废料将含铟放入还原炉；减少氧化物废料通过将还原气体引入还原炉并对其进行加热；分离熔体金属的金属将铟或含铟合金还原到还原炉下部；并回收熔融物金属用一个金属回收单元。本能够有效地从矿物中回收铟或铟合金。废料含有在铟锡氧化物（ITO）溅射靶材制造过程中或使用后产生的高纯度氧化铟。
近年来，铟锡氧化物(ITO)溅射靶被广泛应用于透明导电薄膜或液晶显示器件的气敏元件。在许多情况下，使用薄膜形成装置通过溅射方法在衬底等上形成薄膜。
虽然通过该溅射方法的薄膜形成手段是一种很好的方法，但是如果例如通过使用溅射靶来形成透明导电薄膜，则靶的消耗不均匀。继续溅射操作，直到支撑靶材的背板暴露出来，尽管消耗强烈的靶材的部分通常被称为全部溅射操作。在那之后，我们将换一个新的目标。
因此，大量未使用的靶，即未使用的靶部分，保留在用过的溅射靶中，并且它们都被报废。此外，在制造ITO溅射靶时，从研磨粉和切割粉中产生废料。由于ITO溅射靶材使用高纯度材料且价格昂贵，因此通常从这种废料中回收铟。作为该铟回收方法，使用诸如传统酸溶解法、离子交换法和溶剂萃取法等湿法净化相结合的方法。
例如，ITO废料被清洗粉碎，溶解在盐酸中，硫化氢通过溶液沉淀并去除锌、锡、铅、铜等杂质作为硫化物，然后加入氨水进行中和，以氢氧化铟的形式回收。然而，用这种方法得到的氢氧化铟过滤性能差，操作时间长。在诸如Si、Al等的大量杂质中产生的氢氧化铟具有颗粒直径和颗粒尺寸分布。存在在此后制造ITO靶时不能稳定地保持ITO靶的特性的问题。
有鉴于此，首先，用盐酸溶解ITO含铟废料以形成氯化铟溶液，向氯化铟溶液中加入氢氧化钠水溶液以氢氧化锡的形式除去废料中所含的锡，再将海绵铟溶解在氢氧化钠的固溶体中以制备粗铟金属。随后，用锌代替铟，以获得高纯度的铟(参见专利文献1)。据此，可以高效、稳定地回收高纯度铟。
然而，在电解精炼回收铟的步骤中，需要在阴极之前浇注金属，但此时存在着铸件上漂浮的含氧化物铸造废料(铸造废料)的问题。传统上，这种铸造废料的问题在于，除非进行诸如盐酸溶解、pH值制备、锌还原和阳极铸造等电解精炼过程，否则成本不会增加。此外，这一工艺还有一个问题，即为了处理少量的一氧化二氮，必须溶解大量的金属铟。
为了解决该问题，在从在生产ITO溅射靶期间或之后发生的含有高纯度氧化铟的废料中回收铟的过程中，在铸造金属预制件时发生的铸造过程中，已经提出了从废料中有效地回收金属铟的方法(专利文献2)。然而，在这种情况下，存在一个问题，因为它是漂浮在铸造金属上的含有铸件的废金属的有限对象，所以通用性不够。此外，还公开了以下文件，作为提高铟纯度或回收率的技术。但也存在工艺复杂或回收率低的问题。将帖子作为参考。
描述了一种通过将铟中存在的正三价铟氧化物还原并将其变性为正一价氧化物来生产用作化合物半导体的原料的高纯度铟的方法，以及去除保留在预定温度下的杂质的步骤。
从国内上看，钛铟的制造成本大约为80英镑/公斤。
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